第211章 读取快了10倍，写入快了20倍

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枫火集团公司，阻变式存储器研发中心。

        经过了大半年的持续研发，已经是地中海发型的冯高平带着团队，在江成的指导下吃透了徐伟大佬他们一行整出的专利，并且在此基础上研发实现了量产技术。

        “江总，目前我们已经初步实现了两种存储芯片的研发，第一类是阻变式缓存，我们称之为hrram，读取速度达到了35gb/s，可以用于手机soc芯片，车规级芯片。”

        冯高平拿着比小指指甲还小的小小芯片递给了江成看。

        “第二类是阻变式内存，drram，这一块的制造工艺是90nm，但存储容量到了4gb，读取速度达20gb/s。”

        江成拿了到手上，瞬间模拟进入了体内的超技术实验室。

        “写入速度呢？”

        “顺序写入速度也有10gb/s，随机写入也达到了2gb/s以上。”冯高平声音非常地激动。

        这还是他第一次研发出来这么强大的存储芯片。

        比起当前的手机内存来说，读取快了10倍，写入快了20倍！

        江成径自将这些芯片替换到了体内模拟实验室中的枫火手机，先是换了运行内存。

        相关的接口协议同步拷贝到了芯片级系统之中。

        “连续读写速度表现非常不错。”江成点点头，“不过，你们要再增设一个电源管理芯片，以防存储芯片因电流电压不稳被击穿。”

        冯高平应了声，对江成的佩服得很，“我们在试验中也发现了可能会出现这个问题，已经在做适配的电源管理芯片了。”

        “做得好。”江成赞扬了一句，随后又问，“你是国科大毕业的吧？”

        “是，微电子科学专业的。”冯高平回答，“毕业四五年了。”

        “今天后，由你任存储器研发部经理，好好干。”江成轻拍了拍他的肩膀。

        这一段时间的考察，冯高平表现确实是可圈可点。

        至少看他那样子，就不像是刚毕业四五年的样子，至少是毕业十几年的模样。

        冯高平有些激动，“感谢江总信任！”

        “继续研发完善，现在的制程我还是不太满意，希望达到45纳米，甚至是28纳米制程，另外这么大的芯片，要

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